IR2113PBF, Драйвер ключів нижнього і верхнього рівнів, [DIP-14]

MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
Технічні параметри
Конфігурація half-bridge
Тип каналу незалежний
Кількість каналів 2
Тип керованого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напруга живлення, В 3.3...20
Логічне напруга (VIL), В 6
Логічне напруга (VIH), В 9.5
Піковий вихідний струм наростання (Source), А 2
Піковий вихідний струм спаду (Sink), А 2
Тип входу неінвертуючий
Максимальна напруга зсуву, В 600
Номінальний час наростання (Rise Time), нс 25
Номінальна час загасання (Fall Time), нс 17
Робоча температура, °C -40...+150 (TJ)
Корпус dip-14 (0.300 inch)
Вага, г 1.9