Мультиметр тестер полупроводников ESR LCR большой LCD ЖК LCR-T7

ЖК экран 160х128 цветной

Автоматическая идентификация радиоэлектронных компонентов (резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод, биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET транзистор, маломощный тиристор, симистор.
 
Измерение сопротивления, емкости, индуктивности, прямого напряжения перехода в диодах и биполярных транзисторах, емкости и порогового напряжения затвора в полевых транзисторах, обнаружение защитных диодов в транзисторах.
 
Поставляется без корпуса (КІТ).
 
Разряжайте конденсаторы до тестирования!
    
Технические характеристики тестера полупроводников и измерителя RLC, ESR.
 
Измеритель индуктивности
 
1. Тест полупроводников, конденсаторов, резисторов, индуктивностей производится за одну операцию – нажатием кнопки.  Автоматическое выключение после теста.
 
2. Потребляемый ток после отключения не более 20nA .
 
3. Диапазон измерения резисторов составляет от 0,1 Ом до 50M Ом с точностью 1%.
 
4. Диапазон измерения емкости составляет от  25рF до 100mF и точностью 1%.
 
5.  Диапазон измерения индутивности составляет от 0,01mН до 20H и точностью 1%.
 
Тестер транзисторов
   
6. Автоматичне визначення NPN, PNP біполярних транзисторів , N -канальних і Р - канальних MOS-FET, JFET транзисторів , діодів, подвійних діодів, тиристорів невеликої потужності, односпрямованих і двонаправлених тиристорів.
 
7. Автоматичне визначення цокольовка напівпровідників.
 
8. Вимірювання в біполярних транзисторах коефіцієнта посилення і порогового напруги база – емітер.
 
9. Виявлення захисних діодів в біполярних і MOS-FET транзисторах.
 
Мультитестер напівпровідників
   
10. Ідентифікація транзисторів Дарлінгтона.
 
11. Вимірювання порогового напруги і ємності затвора в MOS-FET транзисторах.
 
12. Вимірювання ESR конденсатора з роздільною здатністю 0,01 Ом.
 
ESR вимірювач
   
13. Вимірювання подвійних резисторів (потенціометрів) з відображення на дисплеї символів резистора.
 
14. Відображення символів подвійних діодів з вимірюванням прямого напруга кожного переходу.
 
15. Визначення комбінованих світлодіодів.
 
16. Визначення напруги пробою в стабилитронах з напругою не більше 4.5 V.

Мова прошивки: англійська і китайська